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IRF740ALPBF - 

MOSFET N-CH 400V 10A TO-262

Vishay Siliconix IRF740ALPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF740ALPBF
仓库库存编号:
IRF740ALPBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF740ALPBF
库存编号:IRF740ALPBF-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK1110
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1000+
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IRF740ALPBF
库存编号:844-IRF740ALPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET1611
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IRF740ALPBF
库存编号:IRF740ALPBF
Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 400V - Tape and Reel (Alt: IRF740ALPBF)0
1000起订
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IRF740ALPBF
库存编号:IRF740ALPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET0
1000起订
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IRF740ALPBF
库存编号:IRF740ALPBF
Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 400V, 10A, Idm: 40A, 125W979
1起订
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(工作日)
操作
IRF740ALPBF
库存编号:1808304
Vishay Intertechnologies N channel , VBRDSS 400 V, RDSon 550 mOh, TU186
50起订
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100+
200+
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IRF740ALPBF
库存编号:1808642
Vishay Intertechnologies N channel , VBRDSS 400 V, RDSon 550 mOh, PK186
5起订
5+
15+
25+
¥39.95
¥38.76
¥37.59
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IRF740ALPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  I2PAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  36nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  550 毫欧 @ 6A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  10A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1030pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  3.1W(Ta),125W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  400V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF740ASPBF, ALPBF
标准包装 50
其它名称 *IRF740ALPBF

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封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  Vishay Siliconix 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 通孔  Vishay Siliconix 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Vishay Siliconix 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Vishay Siliconix 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 I2PAK  Vishay Siliconix 供应商器件封装 I2PAK  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I2PAK   技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±30V  Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V  Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Vishay Siliconix 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1030pF @ 25V   FET 功能 -  Vishay Siliconix FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA   功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)  Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)   漏源电压(Vdss) 400V  Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 400V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 400V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 400V  
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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 400V 10 Amp

RoHS: Compliant

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IRF740AL
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 400V 10 Amp

RoHS: Not compliant

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IRF740ALPBF
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Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant

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IRF740ALPBF
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Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: IRF740ALPBF)

RoHS: Compliant

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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Tape and Reel (Alt: IRF740ALPBF)

RoHS: Not Compliant

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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant

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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant

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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant

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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262

RoHS: Compliant

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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 400 V 0.55 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF740ALPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 400V 10 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Vishay Siliconix - IRF740ALPBF - MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262

详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK

型号:IRF740ALPBF
仓库库存编号:IRF740ALPBF-ND
别名:*IRF740ALPBF <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF740ALPBF
VISHAY IRF740ALPBF
9537520

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 125W, TO-262

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRF740ALPBF - Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740ALPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-262封装

制造商零件编号:
IRF740ALPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4743
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IRF740ALPBF|VISHAYIRF740ALPBF
VISHAY
单 N 沟道 400 V 0.55 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-262
Rohs

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无图IRF740ALPBF
VISHAY
单 N 沟道 400 V 0.55 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-262
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