产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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二极管 - 桥式整流器
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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晶体管 - IGBT - 模块
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规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
输入
配置
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
电流 - 平均整流（Io）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
二极管类型
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Power - Max
电流 - 集电极截止（最大值）
Current - Collector (Ic) (Max)
SP1(89)
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Microsemi Corporation(89)
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通孔(4)
底座安装(85)
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-40°C ~ 150°C（TJ）(54)
-40°C ~ 175°C（TJ）(35)
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-(71)
CoolMOS??(17)
POWER MOS 8??(1)
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散装 (41)
托盘 (11)
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不可用于新设计(2)
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SP1(89)
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标准(37)
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单一(13)
半桥(10)
全桥(5)
全桥反相器(4)
三级反相器(3)
非对称桥(2)
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MOSFET（金属氧化物）(16)
标准(7)
碳化硅肖特基(4)
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±30V(9)
±20V(7)
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-(5)
150nC @ 10V(7)
180nC @ 10V(1)
145nC @ 10V(1)
165nC @ 10V(1)
250nC @ 10V(2)
300nC @ 10V(5)
305nC @ 10V(3)
330nC @ 10V(1)
270nC @ 10V(1)
540nC @ 10V(5)
98nC @ 20V(1)
170nC @ 10V(1)
518nC @ 10V(1)
560nC @ 10V(2)
259nC @ 10V(3)
272nC @ 20V(1)
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49 毫欧 @ 40A，20V(1)
19 毫欧 @ 50A，10V(1)
120 毫欧 @ 26A，10V(1)
24 毫欧 @ 47.5A，10V(4)
35 毫欧 @ 72A，10V(1)
45 毫欧 @ 24.5A，10V(7)
720 毫欧 @ 10A，10V(1)
396 毫欧 @ 18A，10V(2)
70 毫欧 @ 39A，10V(3)
180 毫欧 @ 21A，10V(1)
276 毫欧 @ 17A，10V(1)
132 毫欧 @ 33A，10V(1)
150 毫欧 @ 14A，10V(1)
360 毫欧 @ 25A，10V(2)
1.68 欧姆 @ 7A，10V(1)
10 毫欧 @ 69.5A，10V(1)
83 毫欧 @ 24.5A、 10V(2)
60 毫欧 @ 52A、 10V(5)
480 毫欧 @ 18A，10V(1)
780 毫欧 @ 14A，10V(1)
150 毫欧 @ 22.5A，10V(1)
108 毫欧 @ 26A，10V(1)
50 毫欧 @ 40A，20V(1)
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10V(16)
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N 沟道(16)
2 个 N 沟道（双）(1)
2 个 N 通道（半桥）(8)
4 个 N 通道（H 桥）(7)
2 个 N 通道（双），肖特基(1)
2 N 沟道（双路降压斩波器）(4)
3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）(4)
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20A(1)
30A(1)
40A(1)
25A(1)
8A(1)
20A（Tc）(1)
21A(1)
45A（Tc）(1)
28A(1)
39A(3)
23A（Tc）(2)
59A（Tc）(4)
52A（Tc）(1)
74A（Tc）(1)
16A(1)
36A(2)
55A(1)
49A(7)
31A（Tc）(2)
95A(1)
95A（Tc）(3)
72A(1)
109A（Tc）(1)
59A(1)
154A（Tc）(1)
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700pF @ 25V(1)
7000pF @ 25V(2)
1900pF @ 1000V(1)
6000pF @ 25V(1)
6800pF @ 100V(1)
7200pF @ 25V(9)
7600pF @ 25V(2)
14400pF @ 25V(4)
14000pF @ 25V(1)
7868pF @ 25V(3)
7736pF @ 25V(1)
5448pF @ 25V(1)
5316pF @ 25V(1)
10552pF @ 25V(1)
4507pF @ 25V(1)
14560pF @ 25V(2)
3812pF @ 25V(1)
9880pF @ 25V(1)
9875pF @ 25V(1)
13600pF @ 100V(5)
5120pF @ 1000V(1)
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-(11)
标准(15)
逻辑电平门(1)
超级结(13)
碳化硅 （SiC）(1)
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3.5V @ 3mA(1)
5V @ 1mA(3)
5V @ 2.5mA(7)
3.9V @ 5mA(4)
2.2V @ 2mA（标准）(1)
4V @ 2.5mA(5)
3.9V @ 2.7mA(3)
3.9V @ 3mA(7)
3.9V @ 5.4mA(1)
3.9V @ 2mA(1)
5V @ 3mA(2)
3.5V @ 6mA(5)
3V @ 2mA(1)
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480W（Tc）(2)
462W（Tc）(7)
568W（Tc）(2)
520W（Tc）(1)
390W（Tc）(2)
657W（Tc）(2)
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200V(1)
100V(1)
900V(6)
1000V（1kV）(1)
1200V（1.2kV）(4)
600V(20)
800V(1)
1000V(3)
500V(2)
1200V(2)
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250μA @ 600V(2)
25μA @ 600V(1)
100μA @ 1200V(2)
400μA @ 600V(1)
400μA @ 1200V(1)
800μA @ 1200V(1)
20μA @ 1600V(1)
50μA @ 1600V(1)
800μA @ 600V(1)
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20A(2)
40A(3)
90A(1)
92A(1)
42A(1)
43A(1)
82A(1)
135A(1)
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1.8V @ 20A(2)
2.3V @ 60A(1)
2V @ 100A(1)
1.8V @ 40A(2)
2.2V @ 30A(1)
1.3V @ 40A(1)
1.3V @ 90A(1)
3.1V @ 30A(1)
3V @ 60A(1)
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单相(9)
三相(2)
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600V(18)
650V(2)
1200V(10)
1700V(7)
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480W(4)
350W(1)
90W(2)
312W(3)
250W(7)
62W(2)
220W(1)
340W(2)
357W(1)
208W(1)
385W(4)
210W(3)
176W(4)
277W(1)
465W(1)
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100μA(3)
50μA(1)
250μA(33)
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80A(4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTMC120AM55CT1AG
仓库库存编号：
APTMC120AM55CT1AG-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE DIODE 1600V 90A SP1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 90A Chassis Mount SP1
型号：
APTDR90X1601G
仓库库存编号：
APTDR90X1601G-ND
别名：APTDR90X1601GMI
APTDR90X1601GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 150A 340W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT100DA60T1G
仓库库存编号：
APTGT100DA60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50A120T1G
仓库库存编号：
APTGT50A120T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1700V 75A 312W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50SK170T1G
仓库库存编号：
APTGT50SK170T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60SKM24T1G
仓库库存编号：
APTC60SKM24T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT75H60T1G
仓库库存编号：
APTGT75H60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM45BC1G
仓库库存编号：
APTC60AM45BC1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 20A（Tc） 520W（Tc） SP1
型号：
APTML100U60R020T1AG
仓库库存编号：
APTML100U60R020T1AG-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50TL601G
仓库库存编号：
APTGT50TL601G-ND
别名：APTGT50TL601GMI
APTGT50TL601GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 42A Chassis Mount SP1
型号：
APTDF30H601G
仓库库存编号：
APTDF30H601G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 43A Chassis Mount SP1
型号：
APTDF30H1201G
仓库库存编号：
APTDF30H1201G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRDG 600V SP1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 92A Chassis Mount SP1
型号：
APTDF60H601G
仓库库存编号：
APTDF60H601G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
RECT BRIDGE MOD 3PHASE 1600V SP1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 40A Chassis Mount SP1
型号：
APTDR40X1601G
仓库库存编号：
APTDR40X1601G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT 600V 100A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT75DA60T1G
仓库库存编号：
APTGT75DA60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 250W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT75SK60T1G
仓库库存编号：
APTGT75SK60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD DIO FULL BRIDGE SP1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 82A Chassis Mount SP1
型号：
APTDF60H1201G
仓库库存编号：
APTDF60H1201G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 225A 480W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT150DA60T1G
仓库库存编号：
APTGT150DA60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 225A 480W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 225A 480W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT150SK60T1G
仓库库存编号：
APTGT150SK60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT75A60T1G
仓库库存编号：
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产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
型号：
APTM100DA33T1G
仓库库存编号：
APTM100DA33T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
型号：
APTM100SK33T1G
仓库库存编号：
APTM100SK33T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT20H60T1G
仓库库存编号：
APTGT20H60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 135A Chassis Mount SP1
型号：
APTDF100H601G
仓库库存编号：
APTDF100H601G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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IGBT 1700V 45A 210W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT30DA170T1G
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