产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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零件状态
供应商器件封装
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技术
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
电流 - 平均整流（Io）
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二极管类型
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电流 - 集电极截止（最大值）
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SP1(89)
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Microsemi Corporation(89)
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通孔(4)
底座安装(85)
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-40°C ~ 150°C（TJ）(54)
-40°C ~ 175°C（TJ）(35)
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POWER MOS 8??(1)
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SP1(89)
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标准(37)
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单一(13)
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三级反相器(3)
非对称桥(2)
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MOSFET（金属氧化物）(16)
标准(7)
碳化硅肖特基(4)
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±30V(9)
±20V(7)
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-(5)
150nC @ 10V(7)
180nC @ 10V(1)
145nC @ 10V(1)
165nC @ 10V(1)
250nC @ 10V(2)
300nC @ 10V(5)
305nC @ 10V(3)
330nC @ 10V(1)
270nC @ 10V(1)
540nC @ 10V(5)
98nC @ 20V(1)
170nC @ 10V(1)
518nC @ 10V(1)
560nC @ 10V(2)
259nC @ 10V(3)
272nC @ 20V(1)
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49 毫欧 @ 40A，20V(1)
19 毫欧 @ 50A，10V(1)
120 毫欧 @ 26A，10V(1)
24 毫欧 @ 47.5A，10V(4)
35 毫欧 @ 72A，10V(1)
45 毫欧 @ 24.5A，10V(7)
720 毫欧 @ 10A，10V(1)
396 毫欧 @ 18A，10V(2)
70 毫欧 @ 39A，10V(3)
180 毫欧 @ 21A，10V(1)
276 毫欧 @ 17A，10V(1)
132 毫欧 @ 33A，10V(1)
150 毫欧 @ 14A，10V(1)
360 毫欧 @ 25A，10V(2)
1.68 欧姆 @ 7A，10V(1)
10 毫欧 @ 69.5A，10V(1)
83 毫欧 @ 24.5A、 10V(2)
60 毫欧 @ 52A、 10V(5)
480 毫欧 @ 18A，10V(1)
780 毫欧 @ 14A，10V(1)
150 毫欧 @ 22.5A，10V(1)
108 毫欧 @ 26A，10V(1)
50 毫欧 @ 40A，20V(1)
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10V(16)
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N 沟道(16)
2 个 N 沟道（双）(1)
2 个 N 通道（半桥）(8)
4 个 N 通道（H 桥）(7)
2 个 N 通道（双），肖特基(1)
2 N 沟道（双路降压斩波器）(4)
3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）(4)
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20A(1)
30A(1)
40A(1)
25A(1)
8A(1)
20A（Tc）(1)
21A(1)
45A（Tc）(1)
28A(1)
39A(3)
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59A（Tc）(4)
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16A(1)
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55A(1)
49A(7)
31A（Tc）(2)
95A(1)
95A（Tc）(3)
72A(1)
109A（Tc）(1)
59A(1)
154A（Tc）(1)
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700pF @ 25V(1)
7000pF @ 25V(2)
1900pF @ 1000V(1)
6000pF @ 25V(1)
6800pF @ 100V(1)
7200pF @ 25V(9)
7600pF @ 25V(2)
14400pF @ 25V(4)
14000pF @ 25V(1)
7868pF @ 25V(3)
7736pF @ 25V(1)
5448pF @ 25V(1)
5316pF @ 25V(1)
10552pF @ 25V(1)
4507pF @ 25V(1)
14560pF @ 25V(2)
3812pF @ 25V(1)
9880pF @ 25V(1)
9875pF @ 25V(1)
13600pF @ 100V(5)
5120pF @ 1000V(1)
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-(11)
标准(15)
逻辑电平门(1)
超级结(13)
碳化硅 （SiC）(1)
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3.5V @ 3mA(1)
5V @ 1mA(3)
5V @ 2.5mA(7)
3.9V @ 5mA(4)
2.2V @ 2mA（标准）(1)
4V @ 2.5mA(5)
3.9V @ 2.7mA(3)
3.9V @ 3mA(7)
3.9V @ 5.4mA(1)
3.9V @ 2mA(1)
5V @ 3mA(2)
3.5V @ 6mA(5)
3V @ 2mA(1)
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480W（Tc）(2)
462W（Tc）(7)
568W（Tc）(2)
520W（Tc）(1)
390W（Tc）(2)
657W（Tc）(2)
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200V(1)
100V(1)
900V(6)
1000V（1kV）(1)
1200V（1.2kV）(4)
600V(20)
800V(1)
1000V(3)
500V(2)
1200V(2)
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250μA @ 600V(2)
25μA @ 600V(1)
100μA @ 1200V(2)
400μA @ 600V(1)
400μA @ 1200V(1)
800μA @ 1200V(1)
20μA @ 1600V(1)
50μA @ 1600V(1)
800μA @ 600V(1)
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20A(2)
40A(3)
90A(1)
92A(1)
42A(1)
43A(1)
82A(1)
135A(1)
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1.8V @ 20A(2)
2.3V @ 60A(1)
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1.8V @ 40A(2)
2.2V @ 30A(1)
1.3V @ 40A(1)
1.3V @ 90A(1)
3.1V @ 30A(1)
3V @ 60A(1)
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单相(9)
三相(2)
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600V(18)
650V(2)
1200V(10)
1700V(7)
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480W(4)
350W(1)
90W(2)
312W(3)
250W(7)
62W(2)
220W(1)
340W(2)
357W(1)
208W(1)
385W(4)
210W(3)
176W(4)
277W(1)
465W(1)
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100μA(3)
50μA(1)
250μA(33)
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80A(4)
100A(5)
150A(3)
200A(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 45A 210W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT30SK170T1G
仓库库存编号：
APTGT30SK170T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT30H60T1G
仓库库存编号：
APTGT30H60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT35A120T1G
仓库库存编号：
APTGT35A120T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 110A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1
型号：
APTGL90DA120T1G
仓库库存编号：
APTGL90DA120T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 110A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1
型号：
APTGL90SK120T1G
仓库库存编号：
APTGL90SK120T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 32A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT20TL601G
仓库库存编号：
APTGT20TL601G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 80A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50DH60T1G
仓库库存编号：
APTGT50DH60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60DDAM70T1G
仓库库存编号：
APTC60DDAM70T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60DSKM70T1G
仓库库存编号：
APTC60DSKM70T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT100A60T1G
仓库库存编号：
APTGT100A60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 50A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT30TL601G
仓库库存编号：
APTGT30TL601G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 75A 312W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50DA170T1G
仓库库存编号：
APTGT50DA170T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 100A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT75DH60T1G
仓库库存编号：
APTGT75DH60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
型号：
APTM50H15FT1G
仓库库存编号：
APTM50H15FT1G-ND
别名：APTM50H15UT1G
APTM50H15UT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 140A 480W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT100DA120T1G
仓库库存编号：
APTGT100DA120T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT30A170T1G
仓库库存编号：
APTGT30A170T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
型号：
APTM60H23FT1G
仓库库存编号：
APTM60H23FT1G-ND
别名：APTM60H23UT1G
APTM60H23UT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50H60T1G
仓库库存编号：
APTGT50H60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
型号：
APTM60A11FT1G
仓库库存编号：
APTM60A11FT1G-ND
别名：APTM60A11UT1G
APTM60A11UT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM45T1G
仓库库存编号：
APTC60AM45T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA30T1G
仓库库存编号：
APTM120DA30T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 130A 465W SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 130A 465W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT75DA170T1G
仓库库存编号：
APTGT75DA170T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT150A60T1G
仓库库存编号：
APTGT150A60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1
型号：
APTM120H140FT1G
仓库库存编号：
APTM120H140FT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号：
APTC60DAM24T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,搜索词：SP1,
无铅
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