规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(2)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(22)
TO-220-3(18)
8-PowerVDFN(2)
TO-220-3 整包(5)
TO-247-3(8)
8-PowerSMD，扁平引线(1)
8-PowerWDFN(1)
8-PowerTDFN(8)
PowerPAK? SO-8(2)
8-PowerTDFN，5 引线(5)
4-VSFN 裸露焊盘(1)
TO-3P-3，SC-65-3(2)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(1)
TO-220-3 全封装，隔离接片(1)
4-PowerTSFN(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(6)
TO-220-3（SMT）标片(1)
i4-Pac?-5(1)
PLUS-220SMD(1)
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Diodes Incorporated(3)
STMicroelectronics(3)
Fairchild/ON Semiconductor(12)
On Semiconductor(9)
Nexperia USA Inc.(2)
Toshiba Semiconductor and Storage(6)
Vishay Siliconix(18)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
IXYS(5)
Infineon Technologies(28)
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表面贴装(47)
通孔(42)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(36)
-55°C ~ 175°C（TJ）(40)
150°C（TJ）(9)
-40°C ~ 150°C（TJ）(4)
重新选择
-(22)
SuperMESH??(3)
汽车级，AEC-Q101(6)
TrenchFET?(3)
TrenchMOS??(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(1)
PowerTrench?(5)
UniFET??(1)
UltraFET??(6)
DTMOSIV(5)
E(4)
HiPerFET?，PolarHT?(4)
CoolMOS??(6)
OptiMOS??(4)
HEXFET?(15)
汽车级，AEC-Q101，CoolMOS?(3)
重新选择
剪切带（CT） (22)
带卷（TR） (15)
管件 (49)
重新选择
在售(65)
已不再提供(3)
过期(21)
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8-SO(2)
D2PAK(9)
TO-220-3(1)
TO-220AB(9)
TO-220(2)
TO-220FP(1)
TO-247-3(1)
TO-247(1)
PowerDI3333-8(3)
8-DFN（5x6）(1)
PowerPAK? SO-8(2)
Power33(1)
5-DFN（5x6）（8-SOFL）(9)
D2PAK（TO-263AB）(6)
8-PQFN（5x6），Power56(1)
5-DFN（8x8）(1)
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TO-247AC(3)
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TO-247AD（IXFH）(1)
TO-268(1)
ISOPLUS i4-PAC?(1)
PG-TO263-2(1)
PG-VSON-4(1)
TO-220SIS(1)
TO-262(4)
PG-TO-220-3(4)
PG-TO263(2)
PG-TO247-3(2)
TO-220 整包(3)
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TO-3P（N）(1)
8-PQFN（5x6）(1)
PowerPAK? 8 x 8(1)
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PG-TO262-3-1(1)
PLUS220(1)
PLUS-220SMD(1)
TO-220（W）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(89)
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±30V(34)
±20V(47)
±16V(6)
±25V(1)
±12V(1)
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86nC @ 10V(89)
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3.3 毫欧 @ 20A，10V(1)
12.5 毫欧 @ 10A，10V(1)
5.5 毫欧 @ 20A，10V(1)
3.9 毫欧 @ 20A，10V(1)
4.3 毫欧 @ 18A，10V(1)
2.2 毫欧 @ 20A，10V(1)
3.9 毫欧 @ 19A，10V(1)
180 毫欧 @ 11A，10V(10)
4 毫欧 @ 25A，10V(2)
100 毫欧 @ 14A，10V(6)
4.2 毫欧 @ 20A，10V(1)
20 毫欧 @ 64A，10V(3)
150 毫欧 @ 9.3A，10V(8)
8.5 毫欧 @ 51A，10V(8)
22 毫欧 @ 61A，10V(1)
145 毫欧 @ 12A，10V(4)
26 毫欧 @ 51A，10V(6)
12 毫欧 @ 74A，10V(2)
2.1 毫欧 @ 20A，10V(1)
35 毫欧 @ 35A，10V(1)
88 毫欧 @ 15.4A，10V(4)
185 毫欧 @ 11A，10V(1)
0.92 毫欧 @ 50A，10V(9)
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V(1)
4.4 毫欧 @ 13.5A，10V(2)
7.8 毫欧 @ 30A，10V(1)
98 毫欧 @ 15.4A，10V(1)
520 毫欧 @ 10A，10V(4)
165 毫欧 @ 9.3A，10V(1)
420 毫欧 @ 7A，10V(3)
4.9 毫欧 @ 110A，10V(1)
3 毫欧 @ 20A，4.5V(1)
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10V(72)
4.5V，10V(14)
2.5V，4.5V(1)
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N 沟道(88)
P 沟道(1)
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-(4)
24A（Tc）(6)
60A（Tc）(2)
20A（Tc）(4)
21A（Tc）(10)
26A（Tc）(4)
61A（Tc）(1)
14.9A（Tc）(1)
19A（Tc）(1)
75A（Tc）(10)
74A（Tc）(2)
18A（Ta）(1)
20A（Ta），40A（Tc）(1)
34A（Ta）、 85A（Tc）(1)
19A（Ta），80A（Tc）(1)
30.8A（Ta）(5)
51A（Tc）(6)
60A（Ta）(1)
14A（Tc）(3)
64A（Tc）(3)
150A（Tc）(1)
70A（Tc）(1)
22.4A（Tc）(8)
17.6A（Ta）(1)
46A（Ta）, 300A（Tc）(5)
17.6A（Ta），62A（Tc）(2)
15A（Ta），220A（Tc）(2)
21.3A（Tc）(1)
28A（Ta），105A（Tc）(1)
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-(1)
2550pF @ 15V(1)
3800pF @ 20V(1)
5680pF @ 15V(1)
4830pF @ 15V(1)
4646pF @ 40V(1)
1960pF @ 25V(6)
2650pF @ 25V(3)
7082pF @ 40V(1)
3000pF @ 300V(5)
6100pF @ 25V(9)
4300pF @ 20V(2)
2340pF @ 100V(9)
7100pF @ 100V(3)
2400pF @ 25V(6)
2810pF @ 25V(8)
1920pF @ 100V(10)
7076pF @ 125V(1)
1980pF @ 100V(4)
5605pF @ 25V(2)
2035pF @ 100V(1)
2800pF @ 40V(1)
6776pF @ 25V(2)
3690pF @ 10V(3)
3970pF @ 25V(1)
4685pF @ 25V(4)
5450pF @ 10V(1)
3710pF @ 10V(1)
重新选择
-(84)
超级结(5)
重新选择
4.5V @ 50μA(3)
4V @ 250μA(17)
3.7V @ 250μA(2)
2.5V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(1)
2.3V @ 1mA(1)
2.8V @ 250μA(1)
3V @ 250μA(7)
4.5V @ 250μA(3)
4V @ 1mA(3)
2.3V @ 250μA(4)
3.5V @ 250μA(9)
3.3V @ 250μA(1)
4.5V @ 1mA(1)
5V @ 4mA(4)
5.5V @ 250μA(6)
4V @ 100μA(6)
4V @ 270μA(4)
4.5V @ 900μA(8)
1.1V @ 50μA(1)
3.7V @ 1.5mA(5)
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-(1)
45W（Tc）(1)
190W（Tc）(2)
170W（Tc）(2)
35W（Tc）(3)
140W（Tc）(9)
250W（Tc）(3)
40W（Tc）(1)
417W（Tc）(1)
900mW（Ta）(3)
2.5W（Ta）(1)
2.7W（Ta），5W（Tc）(1)
2.3W（Ta），41W（Tc）(1)
2.5W（Ta），104W（Tc）(1)
6.25W（Ta），104W（Tc）(2)
7.4W（Ta），208W（Tc）(1)
300W（Tc）(6)
240W（Tc）(1)
230W（Tc）(3)
195W（Tc）(1)
180W（Tc）(6)
195.3W（Tc）(7)
500W（Tc）(4)
227W（Tc）(8)
34.7W（Tc）(1)
174W（Tc）(1)
3.8W（Ta），170W（Tc）(6)
3.9W（Ta）, 166W（Tc）(9)
2.1W（Ta），417W（Tc）(2)
3.6W（Ta），52W（Tc）(1)
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20V(1)
80V(3)
200V(7)
75V(1)
100V(8)
40V(13)
30V(5)
60V(8)
250V(4)
600V(19)
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650V(9)
500V(4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Tc） 2.7W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4825DDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4825DDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4825DDY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8638
仓库库存编号：
FDS8638CT-ND
别名：FDS8638CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
型号：
FDMC7660
仓库库存编号：
FDMC7660CT-ND
别名：FDMC7660CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta）、 85A（Tc） 7.4W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6278
仓库库存编号：
785-1612-1-ND
别名：785-1612-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86300
仓库库存编号：
FDMS86300CT-ND
别名：FDMS86300CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R150CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R150CFDXKSA1-ND
别名：SP000907024
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP200N25N3 G
仓库库存编号：
IPP200N25N3 G-ND
别名：IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010EZSTRLP
仓库库存编号：
IRF1010EZSTRLPCT-ND
别名：IRF1010EZSTRLPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 22.4A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R150CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R150CFDXKSA1-ND
别名：SP000907026
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP22N60E-E3-ND
别名：SIHP22N60EE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHG22N60E-E3-ND
别名：SIHG22N60EE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 61A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 61A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP220N25NFDAKSA1
仓库库存编号：
IPP220N25NFDAKSA1-ND
别名：SP001108126
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP25N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP25N50E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA22N60E-E3-ND
别名：SIHA22N60E-E3CT
SIHA22N60E-E3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHB22N60E-E3-ND
别名：SIHB22N60EE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc）
型号：
SIHP22N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP22N60E-GE3-ND
别名：SIHP22N60E-GE3CT
SIHP22N60E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG22N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG22N60E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 74A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP120N10
仓库库存编号：
FDP120N10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 170W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB120N10
仓库库存编号：
FDB120N10CT-ND
别名：FDB120N10CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF22N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF22N60E-GE3CT-ND
别名：SIHF22N60E-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R150CFDATMA1
仓库库存编号：
IPB65R150CFDATMA1CT-ND
别名：IPB65R150CFDATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB200N25N3 G
仓库库存编号：
IPB200N25N3 GCT-ND
别名：IPB200N25N3 GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1010EZPBF
仓库库存编号：
IRF1010EZPBF-ND
别名：*IRF1010EZPBF
SP001571244
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
型号：
TK31N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK31N60WS1VF-ND
别名：TK31N60W,S1VF(S
TK31N60WS1VF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号：
IRFB23N20DPBF-ND
别名：*IRFB23N20DPBF
SP001564048
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
无铅
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