规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(27)
分立半导体产品
(27)
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
功率 - 最大值
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(1)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(3)
TO-261-4，TO-261AA(2)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(11)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(1)
TO-220-3(1)
TO-220-3 整包(1)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(1)
SOT-23-6(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(4)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
重新选择
Diodes Incorporated(6)
STMicroelectronics(4)
Fairchild/ON Semiconductor(9)
Taiwan Semiconductor Corporation(8)
重新选择
表面贴装(19)
通孔(8)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(23)
-55°C ~ 175°C（TJ）(4)
重新选择
-(18)
SuperMESH??(4)
QFET?(5)
重新选择
剪切带（CT） (9)
带卷（TR） (7)
管件 (7)
-Reel? (2)
重新选择
在售(18)
不可用于新设计(2)
过期(7)
重新选择
8-SO(1)
SOT-23-3(3)
SOT-223(2)
D-Pak(5)
TO-220-3(1)
TO-92-3(1)
SOT-26(1)
TO-252，（D-Pak）(6)
D2PAK（TO-263AB）(1)
TO-220F(1)
I-Pak(2)
TO-251（IPAK）(2)
I2PAK（TO-262）(1)
重新选择
MOSFET（金属氧化物）(26)
重新选择
±30V(16)
±20V(3)
±25V(5)
±12V(2)
重新选择
7.7nC @ 10V(27)
重新选择
16 欧姆 @ 500mA，10V(4)
250 毫欧 @ 3.2A，10V(3)
35 毫欧 @ 6A，10V(2)
47 毫欧 @ 3.2A，10V(1)
1.4 欧姆 @ 2A，10V(4)
1.4 欧姆 @ 1.2A，10V(4)
12 欧姆 @ 450mA，10V(4)
210 毫欧 @ 3.5A，10V(1)
210 毫欧 @ 4.65A，10V(3)
210 毫欧 @ 3.7A，10V(1)
重新选择
10V(21)
4.5V，10V(1)
1.8V，10V(2)
6V，10V(2)
重新选择
N 沟道(26)
2 个 N 沟道（双）(1)
重新选择
300mA（Tc）(1)
1A（Tc）(2)
1.6A(1)
3.8A（Ta）(1)
2A（Ta）(1)
1.5A（Ta）(1)
7A（Tc）(1)
4.6A（Ta）(2)
250mA（Tc）(1)
900mA（Tc）(4)
7.4A（Tc）(1)
3.3A（Tc）(8)
9.3A（Tc）(3)
重新选择
160pF @ 25V(4)
250pF @ 25V(5)
405pF @ 50V(3)
318pF @ 15V(1)
281pF @ 10V(2)
370pF @ 100V(8)
215pF @ 25V(4)
重新选择
-(26)
逻辑电平门(1)
重新选择
4.5V @ 50μA(4)
4V @ 250μA(18)
2V @ 250μA(1)
1.2V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(1)
2V @ 250μA（最小）(1)
重新选择
45W（Tc）(2)
2.5W（Tc）(1)
40W（Tc）(1)
2W（Ta）(1)
3W（Tc）(1)
1.1W（Ta）(1)
38W（Tc）(8)
2.5W（Ta），28W（Tc）(4)
2.5W（Ta），25W（Tc）(1)
950mW（Ta）(1)
1.13W(2)
23W（Tc）(1)
3.75W（Ta），40W（Tc）(2)
重新选择
20V(2)
80V(5)
100V(3)
30V(1)
600V(8)
800V(4)
700V(4)
重新选择
1.25W(1)
重新选择
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD1NK80ZT4
仓库库存编号：
497-4751-1-ND
别名：497-4751-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMN10A08GTA
仓库库存编号：
ZXMN10A08GCT-ND
别名：ZXMN10A08GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1NK80ZR-AP
仓库库存编号：
497-6197-1-ND
别名：497-6197-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
STN1NK80Z
仓库库存编号：
497-4669-1-ND
别名：497-4669-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN3F30FHTA
仓库库存编号：
ZXMN3F30FHCT-ND
别名：ZXMN3F30FHCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STD1NK80Z-1
仓库库存编号：
497-16198-5-ND
别名：497-16198-5
STD1NK80Z-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
型号：
ZXMN10A08E6TA
仓库库存编号：
ZXMN10A08E6CT-ND
别名：ZXMN10A08E6CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMN10A08DN8TA
仓库库存编号：
ZXMN10A08DN8TACT-ND
别名：ZXMN10A08DN8TACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60N1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM60N1R4CP ROGTR-ND
别名：TSM60N1R4CP ROGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60N1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM60N1R4CP ROGCT-ND
别名：TSM60N1R4CP ROGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60N1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM60N1R4CP ROGDKR-ND
别名：TSM60N1R4CP ROGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N1R4CP ROGTR-ND
别名：TSM70N1R4CP ROGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N1R4CP ROGCT-ND
别名：TSM70N1R4CP ROGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N1R4CP ROGDKR-ND
别名：TSM70N1R4CP ROGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM60N1R4CH C5G
仓库库存编号：
TSM60N1R4CH C5G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM70N1R4CH C5G
仓库库存编号：
TSM70N1R4CH C5G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta） 1.13W SOT-23-3
型号：
DMN2058U-13
仓库库存编号：
DMN2058U-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta） 1.13W SOT-23-3
型号：
DMN2058U-7
仓库库存编号：
DMN2058U-7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
SSU1N60BTU_WS
仓库库存编号：
SSU1N60BTU_WS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
型号：
SSR1N60BTM_WS
仓库库存编号：
SSR1N60BTM_WS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 80V 7A（Tc） 23W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N08
仓库库存编号：
FQPF9N08-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP9N08
仓库库存编号：
FQP9N08-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
FQD9N08TM
仓库库存编号：
FQD9N08TM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB9N08TM
仓库库存编号：
FQB9N08TM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FQI9N08TU
仓库库存编号：
FQI9N08TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
