规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
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PowerPAK? SO-8(1)
PowerPAK? SO-8 双(1)
8-PowerTDFN，5 引线(2)
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Diodes Incorporated(8)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
On Semiconductor(2)
Nexperia USA Inc.(2)
Rohm Semiconductor(3)
Vishay Siliconix(2)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Infineon Technologies(4)
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表面贴装(25)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(17)
-55°C ~ 175°C（TJ）(4)
150°C（TJ）(3)
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汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(2)
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汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(2)
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8-SO(6)
DPAK(1)
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MPT6(1)
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MOSFET（金属氧化物）(20)
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20V(2)
±20V(12)
±16V(1)
±10V(1)
±12V(4)
重新选择
17nC @ 10V(1)
35nC @ 10V(2)
15nC @ 4.5V(2)
33nC @ 10V(2)
11nC @ 5V(1)
17nC @ 5V(1)
27nC @ 10V(1)
44nC @ 10V(1)
14nC @ 5V(2)
32nC @ 4.5V(2)
56.9nC @ 10V(1)
44nC @ 4.5V(2)
55.4nC @ 10V(3)
68.6nC @ 10V(3)
60.2nC @ 10V(1)
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13 毫欧 @ 10A，10V(25)
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10V(2)
5V，10V(1)
4.5V，10V(10)
2.5V，10V(2)
4V，10V(3)
2.8V，10V(2)
重新选择
N 沟道(15)
P 沟道(5)
2 个 N 沟道（双）(5)
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10A(4)
9.3A（Ta）(1)
10A（Ta）(8)
30A（Tc）(2)
55A（Tc）(1)
6.9A（Ta）(2)
10.3A（Ta）(3)
47A（Ta）(1)
10.3A（Ta），45A（Tc）(3)
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1700pF @ 25V(2)
1950pF @ 20V(2)
800pF @ 10V(1)
1800pF @ 50V(1)
910pF @ 15V(1)
2444pF @ 10V(1)
3430pF @ 20V(2)
2230pF @ 25V(1)
2577pF @ 30V(3)
3426pF @ 20V(3)
1986pF @ 25V(1)
2575pF @ 10V(1)
1070pF @ 10V(2)
735pF @ 24V(2)
2820pF @ 20V(2)
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-(20)
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逻辑电平门(4)
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4V @ 250μA(1)
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1.1V @ 250μA(2)
3V @ 1mA(1)
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3V @ 250μA(8)
3.5V @ 250μA(2)
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2.45V @ 1mA(1)
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1W（Ta）(8)
1.6W（Ta）(1)
2W（Ta）(3)
2.5W（Ta）(5)
48W（Tc）(1)
75W（Ta）(1)
102W（Tc）(1)
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20V(2)
100V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMP2022LSS-13
仓库库存编号：
DMP2022LSS-13DICT-ND
别名：DMP2022LSS-13DICT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7470TRPBF
仓库库存编号：
IRF7470PBFCT-ND
别名：*IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Ta） 75W（Ta） LFPAK33
型号：
BUK9M15-60EX
仓库库存编号：
1727-7316-1-ND
别名：1727-7316-1
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJB00EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJB00EP-T1_GE3CT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN6013LFG-7
仓库库存编号：
DMN6013LFG-7DICT-ND
别名：DMN6013LFG-7DICT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA00EP-T1_GE3CT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 10A 2.2W Surface Mount Power56
型号：
FDMS8090
仓库库存编号：
FDMS8090CT-ND
别名：FDMS8090CT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP4013LFG-7
仓库库存编号：
DMP4013LFG-7DICT-ND
别名：DMP4013LFG-7DICT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4832
仓库库存编号：
AO4832-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 102W（Tc） DPAK
型号：
BUK6213-30A,118
仓库库存编号：
BUK6213-30A,118-ND
别名：934058001118
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 10A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4884
仓库库存编号：
AO4884-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN6013LFGQ-13
仓库库存编号：
DMN6013LFGQ-13-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN6013LFGQ-7
仓库库存编号：
DMN6013LFGQ-7-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP4013LFGQ-13
仓库库存编号：
DMP4013LFGQ-13-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP4013LFGQ-7
仓库库存编号：
DMP4013LFGQ-7-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 20V 9.3A 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.3A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
DMP2022LSSQ-13
仓库库存编号：
DMP2022LSSQ-13-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS100N03FU6TB
仓库库存编号：
RSS100N03FU6TB-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS100N03TB
仓库库存编号：
RSS100N03TBCT-ND
别名：RSS100N03TBCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4707NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4707NT1G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4707NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4707NT3G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） MPT6
型号：
RP1E100XNTR
仓库库存编号：
RP1E100XNCT-ND
别名：RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4884L_001
仓库库存编号：
AO4884L_001-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7470TR
仓库库存编号：
IRF7470TR-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7471TR
仓库库存编号：
IRF7471TR-ND
别名：SP001577558
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7471TRPBF
仓库库存编号：
IRF7471PBFCT-ND
别名：*IRF7471TRPBF
IRF7471PBFCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V,
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