规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF10N60M2
仓库库存编号：
497-13945-5-ND
别名：497-13945-5
STF10N60M2-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM600N25ECH C5G
仓库库存编号：
TSM600N25ECH C5G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD10NM60ND
仓库库存编号：
497-12239-1-ND
别名：497-12239-1
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 2.23W（Ta），35W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX080N25
仓库库存编号：
RCX080N25-ND
别名：RCX080N25CT
RCX080N25CT-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） ITO-220
型号：
TSM70N600CI C0G
仓库库存编号：
TSM70N600CI C0G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） TO-220
型号：
STP10NM60ND
仓库库存编号：
497-12276-ND
别名：497-12276
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD8N60DM2
仓库库存编号：
497-16930-1-ND
别名：497-16930-1
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8N60DM2
仓库库存编号：
STF8N60DM2-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60N600CP ROG
仓库库存编号：
TSM60N600CP ROGTR-ND
别名：TSM60N600CP ROGTR
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60N600CP ROG
仓库库存编号：
TSM60N600CP ROGCT-ND
别名：TSM60N600CP ROGCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60N600CP ROG
仓库库存编号：
TSM60N600CP ROGDKR-ND
别名：TSM60N600CP ROGDKR
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N600CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N600CP ROGTR-ND
别名：TSM70N600CP ROGTR
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N600CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N600CP ROGCT-ND
别名：TSM70N600CP ROGCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N600CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N600CP ROGDKR-ND
别名：TSM70N600CP ROGDKR
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM60N600CH C5G
仓库库存编号：
TSM60N600CH C5G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM70N600CH C5G
仓库库存编号：
TSM70N600CH C5G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） ITO-220
型号：
TSM60N600CI C0G
仓库库存编号：
TSM60N600CI C0G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
型号：
GP1M008A025CG
仓库库存编号：
GP1M008A025CG-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M008A025FG
仓库库存编号：
GP1M008A025FG-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
型号：
GP1M008A025HG
仓库库存编号：
GP1M008A025HG-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
型号：
GP1M008A025PG
仓库库存编号：
1560-1166-5-ND
别名：1560-1166-1
1560-1166-1-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4A，10V,
无铅
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