规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4484
仓库库存编号：
785-1202-1-ND
别名：785-1202-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6575
仓库库存编号：
FDS6575CT-ND
别名：FDS6575CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4421DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4421DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4421DY-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
型号：
EPC2014C
仓库库存编号：
917-1082-1-ND
别名：917-1082-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4423DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4423DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4423DY-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMN3016LFDE-7
仓库库存编号：
DMN3016LFDE-7DICT-ND
别名：DMN3016LFDE-7DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.42W（Ta） 8-SOP
型号：
DMG4466SSS-13
仓库库存编号：
DMG4466SSS-13DICT-ND
别名：DMG4466SSS-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J512NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J512NULFCT-ND
别名：SSM6J512NULFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J501NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J501NULFCT-ND
别名：SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULF(TCT-ND
SSM6J501NULFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMP2022LSS-13
仓库库存编号：
DMP2022LSS-13DICT-ND
别名：DMP2022LSS-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 890mW（Ta） U-WLB1515-9
型号：
DMP1011UCB9-7
仓库库存编号：
DMP1011UCB9-7DICT-ND
别名：DMP1011UCB9-7DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7416TRPBF
仓库库存编号：
IRF7416TRPBFCT-ND
别名：IRF7416TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA905P
仓库库存编号：
FDMA905PFSCT-ND
别名：FDMA905PFSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7470TRPBF
仓库库存编号：
IRF7470PBFCT-ND
别名：*IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7854TRPBF
仓库库存编号：
IRF7854TRPBFCT-ND
别名：IRF7854TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1110FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH1110FNHL1QCT-ND
别名：TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS5670
仓库库存编号：
FDS5670CT-ND
别名：FDS5670CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
型号：
EPC2014
仓库库存编号：
917-1018-1-ND
别名：917-1018-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.42W（Ta） 8-SOP
型号：
DMG4496SSS-13
仓库库存编号：
DMG4496SSS-13DICT-ND
别名：DMG4496SSS-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3G100GNTB
仓库库存编号：
RQ3G100GNTBCT-ND
别名：RQ3G100GNTBCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6690AS
仓库库存编号：
FDS6690ASCT-ND
别名：FDS6690ASCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
型号：
SI4384DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4384DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4384DY-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.42W（Ta） 8-SO
型号：
DMG4466SSSL-13
仓库库存编号：
DMG4466SSSL-13DICT-ND
别名：DMG4466SSSL-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E100MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E100MNTB1CT-ND
别名：RQ3E100MNTB1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6010ANX
仓库库存编号：
R6010ANX-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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