规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(3)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(14)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(10)
TO-220-3(12)
TO-220-3 整包(9)
TO-247-3(1)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6(2)
8-VDFN 裸露焊盘(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(4)
TO-251-3 短截引线，IPak(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(7)
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Diodes Incorporated(2)
STMicroelectronics(1)
Fairchild/ON Semiconductor(13)
Nexperia USA Inc.(1)
Infineon Technologies(47)
重新选择
表面贴装(30)
通孔(34)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(56)
-55°C ~ 175°C（TJ）(6)
150°C（TJ）(1)
重新选择
-(2)
PowerMESH??(1)
TrenchMOS??(1)
QFET?(11)
CoolMOS??(34)
HEXFET?(3)
CoolMOS? P6(5)
HiPerFET?，Polar?(1)
CoolMOS? C6(2)
汽车级， AEC-Q101， QFET?(1)
CoolMOS? E6(3)
重新选择
剪切带（CT） (22)
散装 (1)
带卷（TR） (6)
管件 (35)
重新选择
在售(30)
已不再提供(9)
不可用于新设计(2)
过期(23)
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8-SO(3)
TO-220-3(3)
TO-247-3(1)
TO-252，（D-Pak）(1)
TO-252(1)
D2PAK（TO-263AB）(4)
TO-220F(3)
TSOT-26(2)
PG-TO252-3(12)
PG-TO263-2(1)
PG-TO263-3-2(2)
PG-TO-220-3(6)
PG-TO220-FP(1)
PG-TO263(3)
PG-TO-220-FP(3)
PG-TO220-3-1(3)
PG-TO220 整包(1)
PG-TO251-3(5)
PG-TO262-3(1)
I2PAK（TO-262）(2)
PG-TO262-3-1(4)
8-DFN3333（3.3x3.3）(1)
PG-TO220FP(1)
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MOSFET（金属氧化物）(64)
重新选择
±30V(7)
±20V(54)
±25V(3)
重新选择
6nC @ 5V(3)
25nC @ 10V(3)
35nC @ 10V(6)
12nC @ 10V(5)
36nC @ 10V(1)
7.5nC @ 10V(3)
40nC @ 10V(3)
23nC @ 10V(10)
28nC @ 10V(3)
27nC @ 10V(12)
95nC @ 10V(1)
13.2nC @ 10V(1)
17.2nC @ 10V(2)
20.5nC @ 10V(11)
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105 毫欧 @ 4.5A，10V(2)
600 毫欧 @ 2.4A，10V(16)
600 毫欧 @ 4.6A，10V(18)
600 毫欧 @ 2.1A，10V(10)
690 毫欧 @ 3.65A，10V(3)
620 毫欧 @ 3.6A，10V(1)
30 毫欧 @ 7.3A，10V(3)
1.45 欧姆 @ 3.6A，10V(1)
350 毫欧 @ 3.65A，10V(6)
470 毫欧 @ 3.65A，10V(3)
386 毫欧 @ 2.6A，10V(1)
重新选择
10V(55)
5V，10V(3)
4.5V，10V(5)
6V，10V(1)
重新选择
N 沟道(56)
P 沟道(8)
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7.3A（Tc）(64)
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290pF @ 25V(3)
250pF @ 25V(3)
770pF @ 25V(3)
2900pF @ 25V(1)
969pF @ 30V(2)
1200pF @ 25V(3)
550pF @ 25V(3)
557pF @ 100V(5)
790pF @ 25V(12)
440pF @ 100V(21)
1135pF @ 25V(1)
970pF @ 25V(6)
656pF @ 30V(1)
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-(64)
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-(1)
4V @ 250μA(3)
2V @ 250μA(3)
1V @ 250μA(3)
5V @ 250μA(8)
3V @ 250μA(2)
4V @ 1mA(1)
3.9V @ 250μA(1)
4.5V @ 200μA(4)
3.9V @ 350μA(11)
3.5V @ 200μA(11)
3.5V @ 210μA(10)
5.5V @ 350μA(6)
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2.5W（Tc）(3)
90W（Tc）(1)
190W（Tc）(1)
40W（Tc）(2)
50W（Tc）(4)
89W（Tc）(1)
83W（Tc）(16)
63W（Tc）(21)
1.2W（Ta）(2)
28W（Tc）(4)
32W（Tc）(2)
3.13W（Ta），90W（Tc）(2)
171W（Tc）(1)
3.75W（Ta），40W（Tc）(4)
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220V(1)
200V(6)
100V(6)
30V(3)
60V(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R600P6ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB07N60C3
仓库库存编号：
SPB07N60C3INCT-ND
别名：SPB07N60C3INCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA07N60C3
仓库库存编号：
SPA07N60C3IN-ND
别名：SP000216303
SPA07N60C3IN
SPA07N60C3XK
SPA07N60C3XKSA1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600C6
仓库库存编号：
IPB60R600C6CT-ND
别名：IPB60R600C6CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600C6
仓库库存编号：
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600C6
仓库库存编号：
IPP60R600C6-ND
别名：IPP60R600C6XKSA1
SP000645074
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU07N60C3
仓库库存编号：
SPU07N60C3IN-ND
别名：SP000101635
SPU07N60C3-ND
SPU07N60C3BKMA1
SPU07N60C3IN
SPU07N60C3X
SPU07N60C3XK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V TSOT26
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMP6110SVT-7
仓库库存编号：
DMP6110SVT-7DICT-ND
别名：DMP6110SVT-7DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V TSOT26
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMP6110SVT-13
仓库库存编号：
DMP6110SVT-13DICT-ND
别名：DMP6110SVT-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7P20TM
仓库库存编号：
FQB7P20TMCT-ND
别名：FQB7P20TMCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FCD620N60ZF
仓库库存编号：
FCD620N60ZFCT-ND
别名：FCD620N60ZFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600E6
仓库库存编号：
IPD60R600E6CT-ND
别名：IPD60R600E6CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7201TRPBF
仓库库存编号：
IRF7201PBFCT-ND
别名：*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA65R600E6
仓库库存编号：
IPA65R600E6-ND
别名：IPA65R600E6XKSA1
SP000799140
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7P20TM_F085
仓库库存编号：
FQB7P20TM_F085CT-ND
别名：FQB7P20TM_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号：
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名：SP000931534
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名：SP001292878
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
型号：
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117094
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117096
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号：
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名：SP001273092
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名：SP001313874
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
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型号：
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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
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IPP60R600P6XKSA1-ND
别名：IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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