规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(1)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(1)
TO-261-4，TO-261AA(4)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(14)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(6)
TO-220-3(8)
TO-220-3 整包(1)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(1)
SC-74，SOT-457(1)
TO-243AA(4)
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）(10)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(6)
TO-220-3 全封装，隔离接片(2)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
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Fairchild/ON Semiconductor(10)
Nexperia USA Inc.(1)
Vishay Siliconix(22)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(2)
Microchip Technology(18)
Infineon Technologies(7)
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表面贴装(31)
通孔(29)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(36)
-65°C ~ 150°C（TJ）(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）(23)
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-(46)
TrenchMOS??(1)
QFET?(6)
HEXFET?(7)
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剪切带（CT） (9)
散装 (7)
带卷（TR） (20)
管件 (24)
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SOT-223(4)
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TO-220AB(5)
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IPAK（TO-251）(2)
TO-251AA(3)
TO-262-3(1)
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MOSFET（金属氧化物）(60)
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±30V(6)
±20V(52)
±12V(2)
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-(18)
8.5nC @ 10V(6)
23nC @ 10V(7)
7.4nC @ 10V(1)
11nC @ 10V(22)
3.3nC @ 4.5V(2)
23nC @ 20V(4)
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25 欧姆 @ 120mA，0V(8)
200 毫欧 @ 1.6A，10V(3)
12 欧姆 @ 150mA，0V(2)
200 毫欧 @ 6A，10V(10)
600 毫欧 @ 2.9A，10V(7)
200 毫欧 @ 4.6A，10V(7)
15 欧姆 @ 300mA，10V(3)
200 毫欧 @ 4.8A，10V(2)
600 毫欧 @ 3A，10V(1)
150 毫欧 @ 12A，10V(4)
1 欧姆 @ 2.2A，10V(3)
300 毫欧 @ 3A，10V(2)
250 毫欧 @ 1.75A，10V(1)
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V(1)
300 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
600 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
1 欧姆 @ 2A，10V(1)
1 欧姆 @ 2.75A，10V(2)
160 毫欧 @ 2.4A，4.5V(1)
重新选择
10V(40)
4.5V，10V(5)
2.5V，10V(3)
2.5V，4.5V(2)
0V(10)
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N 沟道(55)
P 沟道(5)
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12A（Tc）(4)
5A（Tc）(6)
10A（Tc）(10)
3.5A（Tc）(1)
4A（Tc）(1)
8A（Tc）(2)
2.1A（Ta）(1)
5A（Ta）(1)
4.4A（Tc）(3)
2.7A（Tc）(3)
2.3A（Ta）(1)
170mA（Tj）(1)
1.1A（Tj）(1)
7.7A（Tc）(7)
200mA（Tj）(1)
175mA（Tj）(1)
120mA（Tj）(5)
500mA（Tj）(2)
5.5A（Tc）(2)
180mA（Tj）(2)
86mA（Tj）(1)
1.2A（Tj）(2)
650mA（Tj）(1)
1.5A（Tj）(1)
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300pF @ 25V(60)
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-(50)
耗尽模式(10)
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-(10)
4V @ 250μA(33)
2V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(6)
2V @ 1mA(3)
4V @ 1mA(1)
2.4V @ 10mA(3)
3.5V @ 10mA(2)
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740mW（Ta）(3)
1W（Ta）(2)
1.6W（Ta）(3)
37W（Tc）(1)
1.6W（Tc）(1)
1.56W（Ta）(1)
2W（Ta），3.1W（Tc）(3)
2.5W（Ta），25W（Tc）(7)
2.5W（Ta），45W（Tc）(3)
15W（Tc）(2)
63W（Tc）(1)
1.25W（Ta）(1)
43W（Tc）(11)
1W（Tc）(7)
6.9W（Tc）(1)
3.7W（Ta），43W（Tc）(6)
27W（Tc）(2)
3.13W（Ta），63W（Tc）(1)
53W（Tc）(4)
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50V(3)
200V(7)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN2540N8-G
仓库库存编号：
DN2540N8-GCT-ND
别名：DN2540N8-GCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL014TRPBF
仓库库存编号：
IRFL014PBFCT-ND
别名：*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
型号：
DN2530N3-G
仓库库存编号：
DN2530N3-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2540N3-G
仓库库存编号：
DN2540N3-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14PBF
仓库库存编号：
IRFZ14PBF-ND
别名：*IRFZ14PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14SPBF
仓库库存编号：
IRFZ14SPBF-ND
别名：IRFZ14SPBFCT
IRFZ14SPBFCT-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2535N3-G
仓库库存编号：
DN2535N3-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU220NPBF
仓库库存编号：
IRFU220NPBF-ND
别名：*IRFU220NPBF
SP001567710
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU014PBF
仓库库存编号：
IRFU014PBF-ND
别名：*IRFU014PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
型号：
TP2640N3-G
仓库库存编号：
TP2640N3-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ14GPBF
仓库库存编号：
IRFIZ14GPBF-ND
别名：*IRFIZ14GPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN2530N8-G
仓库库存编号：
DN2530N8-GCT-ND
别名：DN2530N8-GCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6N25TM
仓库库存编号：
FQD6N25TMFSCT-ND
别名：FQD6N25TMFSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TRPBF
仓库库存编号：
IRFR014TRPBFCT-ND
别名：*IRFR014TRPBF
IRFR014PBFCT
IRFR014PBFCT-ND
IRFR014TRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTRPBF
仓库库存编号：
IRFR220NTRPBFCT-ND
别名：*IRFR220NTRPBF
IRFR220NPBFCT
IRFR220NPBFCT-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN3205N3-G
仓库库存编号：
VN3205N3-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
型号：
DN2540N5-G
仓库库存编号：
DN2540N5-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 650mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
VP3203N3-G
仓库库存编号：
VP3203N3-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
型号：
DN2535N5-G
仓库库存编号：
DN2535N5-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
型号：
TP2635N3-G
仓库库存编号：
TP2635N3-G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ10PBF
仓库库存编号：
IRFZ10PBF-ND
别名：*IRFZ10PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 6.9W（Tc） SOT-223
型号：
PHT4NQ10T,135
仓库库存编号：
1727-5337-1-ND
别名：1727-5337-1
568-6777-1
568-6777-1-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3L
型号：
AO3422
仓库库存编号：
785-1015-1-ND
别名：785-1015-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2535N3-G-P003
仓库库存编号：
DN2535N3-G-P003-ND
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MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
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型号：
DN2535N3-G-P013
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