规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
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供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
功率 - 最大值
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(1)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(1)
TO-261-4，TO-261AA(10)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(4)
TO-220-3(1)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(2)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(4)
TO-251-3 短截引线，IPak(2)
6-PowerVDFN(1)
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STMicroelectronics(8)
On Semiconductor(3)
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NXP USA Inc.(1)
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表面贴装(17)
通孔(9)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(17)
-65°C ~ 150°C（TJ）(3)
150°C（TJ）(2)
-50°C ~ 150°C（TJ）(4)
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MDmesh??(1)
TrenchMOS??(1)
SIPMOS?(4)
HEXFET?(5)
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带卷（TR） (5)
管件 (8)
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8-SO(1)
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D-Pak(2)
DPAK(1)
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MOSFET（金属氧化物）(24)
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±30V(15)
±20V(9)
重新选择
10nC @ 10V(1)
7.7nC @ 10V(4)
7.2nC @ 10V(3)
7nC @ 10V(2)
8nC @ 10V(8)
5.1nC @ 10V(1)
2nC @ 4.5V(1)
8.4nC @ 10V(1)
7.8nC @ 10V(4)
3.7nC @ 10V(1)
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16 欧姆 @ 500mA，10V(4)
220 毫欧 @ 1.6A，10V(3)
165 毫欧 @ 2.3A，10V(1)
800 毫欧 @ 1.17A，10V(4)
4.5 欧姆 @ 500mA，10V(3)
9 欧姆 @ 650mA，10V(5)
3.2 欧姆 @ 1A，10V(1)
8.5 欧姆 @ 200mA，10V(3)
430 毫欧 @ 1.75A，10V(1)
170 毫欧 @ 3.1A，10V(1)
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10V(19)
4.5V，10V(5)
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N 沟道(19)
P 沟道(5)
2 个 N 沟道（双）(1)
2 个 P 沟道（双）(1)
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2.3A(1)
300mA（Tc）(1)
400mA（Tc）(1)
1A（Tc）(2)
2A（Tc）(1)
2.5A（Tc）(1)
400mA(1)
1.6A（Ta）(3)
2.3A（Ta）(1)
1.5A（Tc）(3)
250mA（Tc）(1)
500mA（Tc）(1)
1.17A（Ta）(4)
1.3A（Tc）(5)
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160pF @ 25V(26)
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-(24)
标准(1)
逻辑电平门(1)
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4.5V @ 50μA(4)
4V @ 250μA(3)
3.7V @ 250μA(3)
5V @ 250μA(1)
4.5V @ 250μA(5)
4V @ 1mA(1)
2.4V @ 10μA(2)
2V @ 160μA(4)
3.7V @ 50μA(3)
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45W（Tc）(6)
2.5W（Tc）(2)
1W（Ta）(3)
3W（Tc）(1)
30W（Tc）(1)
1.8W（Ta）(4)
6.25W（Tc）(1)
1.25W（Ta）(1)
46W（Tc）(3)
41.7W（Tc）(1)
3.1W（Tc）(1)
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100V(1)
30V(2)
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450V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD1NK80ZT4
仓库库存编号：
497-4751-1-ND
别名：497-4751-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1NK80ZR-AP
仓库库存编号：
497-6197-1-ND
别名：497-6197-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
STN1NK80Z
仓库库存编号：
497-4669-1-ND
别名：497-4669-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML9303TRPBF
仓库库存编号：
IRLML9303TRPBFCT-ND
别名：IRLML9303TRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP315PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP315PH6327XTSA1CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STD2NC45-1
仓库库存编号：
497-12554-5-ND
别名：497-12554-5
STD2NC45-1-ND
STD2NC451
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STD1NK80Z-1
仓库库存编号：
497-16198-5-ND
别名：497-16198-5
STD1NK80Z-1-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 400mA 1.6W Surface Mount 8-SO
型号：
STS1DNC45
仓库库存编号：
497-12678-1-ND
别名：497-12678-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 41.7W（Tc） TO-220
型号：
AOT1N60
仓库库存编号：
785-1184-5-ND
别名：785-1184-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD1N60
仓库库存编号：
785-1179-1-ND
别名：785-1179-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3.1W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1NC45R-AP
仓库库存编号：
STQ1NC45R-AP-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-251-3
型号：
AOU1N60
仓库库存编号：
AOU1N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-251A
型号：
AOI1N60
仓库库存编号：
AOI1N60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 46W（Tc） D-Pak
型号：
STD2NM60T4
仓库库存编号：
STD2NM60T4-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-251A
型号：
AOI1N60L
仓库库存编号：
785-1536-5-ND
别名：AOI1N60L-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.5A（Tc） 46W（Tc） I-Pak
型号：
NDD01N60-1G
仓库库存编号：
NDD01N60-1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.5A（Tc） 46W（Tc） DPAK
型号：
NDD01N60T4G
仓库库存编号：
NDD01N60T4G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223（TO-261）
型号：
NDT01N60T1G
仓库库存编号：
NDT01N60T1GOSCT-ND
别名：NDT01N60T1GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL1006
仓库库存编号：
IRFL1006-ND
别名：*IRFL1006
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL1006TR
仓库库存编号：
IRFL1006TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315P-E6327
仓库库存编号：
BSP315PINCT-ND
别名：BSP315PE6327
BSP315PINCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL1006PBF
仓库库存编号：
IRFL1006PBF-ND
别名：*IRFL1006PBF
SP001571088
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PE6327T
仓库库存编号：
BSP315PXTINCT-ND
别名：BSP315PXTINCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Tc） 6.25W（Tc） SOT-223
型号：
PHT2NQ10T,135
仓库库存编号：
PHT2NQ10T,135-ND
别名：934056839135
PHT2NQ10T /T3
PHT2NQ10T /T3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
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