规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
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技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
功率 - 最大值
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(2)
TO-261-4，TO-261AA(9)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(7)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(4)
TO-220-3(2)
4-DIP（0.300"，7.62mm）(2)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(4)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(2)
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STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
Vishay Siliconix(20)
Infineon Technologies(9)
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表面贴装(22)
通孔(10)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(32)
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HEXFET?(2)
SIPMOS?(1)
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带卷（TR） (9)
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SOT-223(5)
D-Pak(6)
D2PAK(4)
TO-220AB(2)
4-DIP，Hexdip，HVMDIP(2)
PG-SOT223-4(4)
PG-DSO-8(1)
P-DSO-8(1)
TO-251AA(3)
I2PAK(2)
TO-251（IPAK）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(30)
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±30V(12)
±20V(16)
±16V(2)
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14nC @ 10V(2)
15nC @ 10V(2)
17nC @ 10V(11)
12nC @ 10V(4)
20nC @ 10V(7)
15.5nC @ 10V(2)
11nC @ 10V(1)
9nC @ 5V(2)
9.3nC @ 7V(1)
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100 毫欧 @ 1.5A，10V(2)
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V(7)
3 欧姆 @ 1.5A，10V(11)
120 毫欧 @ 3A，10V(2)
57.5 毫欧 @ 3.1A，10V(2)
120 毫欧 @ 2.9A，10V(5)
1.5 欧姆 @ 340mA，10V(2)
5.3 欧姆 @ 650mA，10V(1)
重新选择
10V(28)
5V，10V(2)
重新选择
N 沟道(21)
P 沟道(9)
N 和 P 沟道(2)
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2.5A（Tc）(8)
4A（Tc）(2)
3.6A（Tc）(7)
2.9A（Ta）(3)
3A，2A(2)
3.3A（Tc）(3)
5.1A（Ta）(2)
2.9A（Tj）(2)
1.3A（Tc）(1)
560mA（Ta）(2)
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340pF @ 25V(32)
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-(30)
标准(2)
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4V @ 250μA(12)
2.8V @ 250μA(2)
4.5V @ 250μA(11)
4V @ 20μA(7)
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3.3W（Tc）(2)
1W（Ta）(4)
50W（Tc）(8)
2.5W（Ta），42W（Tc）(7)
83W（Tc）(3)
1.8W（Ta）(5)
2.5W（Ta），26W（Tc）(1)
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200V(9)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9220PBFCT-ND
别名：*IRFR9220TRPBF
IRFR9220PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL024ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFL024ZTRPBFCT-ND
别名：IRFL024ZTRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420APBF
仓库库存编号：
IRFR420APBF-ND
别名：*IRFR420APBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9220PBF
仓库库存编号：
IRFU9220PBF-ND
别名：*IRFU9220PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820ASPBF
仓库库存编号：
IRF820ASPBF-ND
别名：*IRF820ASPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU420APBF
仓库库存编号：
IRFU420APBF-ND
别名：*IRFU420APBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP320SH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP320SH6327XTSA1CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN3NF06L
仓库库存编号：
497-3177-1-ND
别名：497-3177-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc）
型号：
IRFR420ATRPBF
仓库库存编号：
IRFR420ATRPBFCT-ND
别名：IRFR420ATRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF820APBF
仓库库存编号：
IRF820APBF-ND
别名：*IRF820APBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9220PBF
仓库库存编号：
IRFD9220PBF-ND
别名：*IRFD9220PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN4NF06L
仓库库存编号：
497-10315-1-ND
别名：497-10315-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 2.5W（Ta），26W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
SSU1N50BTU
仓库库存编号：
SSU1N50BTU-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF820ALPBF
仓库库存编号：
IRF820ALPBF-ND
别名：*IRF820ALPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） SOT-223
型号：
BSP320SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP320SH6433XTMA1-ND
别名：SP001058772
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO612CVGHUMA1
仓库库存编号：
BSO612CVGHUMA1TR-ND
别名：BSO612CV G
BSO612CV G-ND
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINTR-ND
BSO612CVGT
BSO612CVGXT
BSO612CVT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVXTINTR-ND
SP000216307
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 200V 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9220
仓库库存编号：
IRFD9220-ND
别名：*IRFD9220
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220
仓库库存编号：
IRFR9220-ND
别名：*IRFR9220
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TR
仓库库存编号：
IRFR9220TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9220
仓库库存编号：
IRFU9220-ND
别名：*IRFU9220
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820AS
仓库库存编号：
IRF820AS-ND
别名：*IRF820AS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF820A
仓库库存编号：
IRF820A-ND
别名：*IRF820A
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF820AL
仓库库存编号：
IRF820AL-ND
别名：*IRF820AL
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820ASTRL
仓库库存编号：
IRF820ASTRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820ASTRR
仓库库存编号：
IRF820ASTRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 25V,
含铅
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