规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
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Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(4)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(3)
TO-220-3(6)
TO-220-3 整包(1)
TO-247-3(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-3P-3，SC-65-3(2)
TO-220-3 全封装，隔离接片(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
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-55°C ~ 175°C（TJ）(8)
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MOSFET（金属氧化物）(21)
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±30V(10)
±20V(8)
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41nC @ 10V(3)
40nC @ 10V(1)
52nC @ 10V(7)
63nC @ 10V(1)
14nC @ 5V(4)
21nC @ 5V(4)
46nC @ 10V(1)
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5.4 毫欧 @ 40A，10V(2)
19 毫欧 @ 40A，10V(4)
1.5 欧姆 @ 2.5A，10V(1)
380 毫欧 @ 7.5A，10V(3)
20 毫欧 @ 20A，10V(1)
5 毫欧 @ 40A，10V(2)
1.5 欧姆 @ 1.9A，10V(1)
180 毫欧 @ 8A，10V(2)
1.5 欧姆 @ 3.3A，10V(3)
1.5 欧姆 @ 3.6A，10V(2)
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10V(12)
5V，10V(8)
6V，10V(1)
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N 沟道(21)
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5A（Tc）(1)
16A（Tc）(1)
40A（Tc）(1)
15A（Tc）(3)
3.8A（Tc）(1)
80A（Tc）(4)
6.6A（Tc）(3)
7.1A（Ta），40A（Tc）(2)
7.2A（Tc）(2)
8.2A（Tc）(1)
7.8A（Ta），40A（Tc）(2)
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1850pF @ 25V(21)
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-(21)
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4V @ 250μA(4)
2V @ 250μA(2)
2.5V @ 250μA(4)
5V @ 250μA(7)
3V @ 250μA(2)
4V @ 1mA(2)
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70W（Tc）(4)
75W（Tc）(4)
56W（Tc）(1)
30W（Tc）(1)
65W（Tc）(1)
167W（Tc）(1)
300W（Tc）(3)
96W（Tc）(1)
136W（Tc）(1)
198W（Tc）(2)
3.13W（Ta），167W（Tc）(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP85N3LH5
仓库库存编号：
497-8451-5-ND
别名：497-8451-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD24AN06LA0_F085
仓库库存编号：
FDD24AN06LA0_F085CT-ND
别名：FDD24AN06LA0_F085CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB15N50
仓库库存编号：
FDB15N50CT-ND
别名：FDB15N50CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STU85N3LH5
仓库库存编号：
497-12702-5-ND
别名：497-12702-5
STU85N3LH5-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FQI7N80TU
仓库库存编号：
FQI7N80TU-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD86N3LH5
仓库库存编号：
497-8890-1-ND
别名：497-8890-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD85N3LH5
仓库库存编号：
497-7976-1-ND
别名：497-7976-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247
型号：
FDH15N50
仓库库存编号：
FDH15N50-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP15N50
仓库库存编号：
FDP15N50-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.8A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB24AN06LA0
仓库库存编号：
FDB24AN06LA0-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD24AN06LA0
仓库库存编号：
FDD24AN06LA0-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 7.8A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP24AN06LA0
仓库库存编号：
FDP24AN06LA0-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7N80
仓库库存编号：
FQP7N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.8A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N80
仓库库存编号：
FQPF7N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7N80TM_AM002
仓库库存编号：
FQB7N80TM_AM002-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF7N80
仓库库存编号：
FQAF7N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.2A（Tc） 198W（Tc） TO-3P
型号：
FQA7N80
仓库库存编号：
FQA7N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 40A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5680
仓库库存编号：
FDP5680-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.2A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA7N80_F109
仓库库存编号：
FQA7N80_F109-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF640,127
仓库库存编号：
568-1161-5-ND
别名：568-1161-5
934055545127
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 8.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
PHX18NQ20T,127
仓库库存编号：
PHX18NQ20T,127-ND
别名：934056396127
PHX18NQ20T
PHX18NQ20T-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V,
无铅
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