规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
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Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
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功率 - 最大值
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(1)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(4)
TO-220-3(3)
8-PowerVDFN(1)
TO-247-3(3)
TO-3P-3，SC-65-3(5)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
SP4(3)
SP3(1)
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STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(5)
Nexperia USA Inc.(1)
Vishay Siliconix(1)
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Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(8)
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通孔(12)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(5)
-55°C ~ 175°C（TJ）(12)
175°C（TJ）(1)
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D2PAK(3)
TO-220AB(2)
TO-220(1)
TO-252，（D-Pak）(1)
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TO-263(1)
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TO-3P(1)
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SP4(3)
SP3(1)
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MOSFET（金属氧化物）(18)
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±30V(5)
±20V(13)
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150nC @ 10V(1)
180nC @ 10V(3)
135nC @ 10V(1)
67nC @ 10V(2)
250nC @ 10V(5)
140nC @ 10V(4)
92nC @ 10V(1)
103nC @ 10V(1)
123nC @ 10V(4)
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5.3 毫欧 @ 95A，10V(3)
90 毫欧 @ 23A，10V(4)
3.9 毫欧 @ 25A，10V(1)
9.4 毫欧 @ 30A，10V(1)
69 毫欧 @ 21.75A，10V(1)
5.4 毫欧 @ 20A，10V(1)
7.8 毫欧 @ 78A，10V(5)
2.2 毫欧 @ 60A，10V(1)
1.1 毫欧 @ 24A，10V(1)
105 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
160 毫欧 @ 14.2A，10V(3)
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10V(17)
4.5V，10V(1)
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N 沟道(18)
2 N 沟道（双）非对称型(1)
4 个 N 通道（H 桥）(3)
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60A（Tc）(1)
35A（Tc）(1)
120A（Tc）(2)
130A（Tc）(2)
100A（Tc）(4)
95A（Tc）(3)
46A(4)
43.5A（Tc）(1)
115A（Tc）(1)
28.4A（Tc）(3)
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5600pF @ 25V(22)
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-(18)
标准(4)
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4V @ 250μA(11)
5V @ 250μA(5)
3V @ 250μA(1)
4V @ 1mA(1)
5V @ 2.5mA(4)
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310W（Tc）(8)
330W（Tc）(1)
235W（Tc）(1)
136W（Tc）(1)
188W（Tc）(1)
3.8W（Ta），200W（Tc）(4)
263W（Tc）(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP1405PBF
仓库库存编号：
IRFP1405PBF-ND
别名：*IRFP1405PBF
64-6010PBF
64-6010PBF-ND
SP001572614
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
型号：
APTM50HM75STG
仓库库存编号：
APTM50HM75STG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SOT78
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R9-60PSQ
仓库库存编号：
1727-1133-ND
别名：1727-1133
568-10288-5
568-10288-5-ND
934067464127
PSMN3R9-60PSQ-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA44N30
仓库库存编号：
FQA44N30-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1407PBF
仓库库存编号：
IRF1407PBF-ND
别名：*IRF1407PBF
SP001564238
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1407STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1407STRLPBFCT-ND
别名：IRF1407STRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 40 V 21 MOHM TYP. 120
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 235W（Tc） TO-220
型号：
STP260N4F7
仓库库存编号：
497-17320-ND
别名：497-17320
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL285N4F7AG
仓库库存编号：
STL285N4F7AG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP3
型号：
APTM50HM75FT3G
仓库库存编号：
APTM50HM75FT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
型号：
APTM50HM75FTG
仓库库存编号：
APTM50HM75FTG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
AUIRFP1405
仓库库存编号：
AUIRFP1405-ND
别名：SP001515966
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 400V 35A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
型号：
FQA35N40
仓库库存编号：
FQA35N40-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA28N50F
仓库库存编号：
FQA28N50F-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA28N50
仓库库存编号：
FQA28N50-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
型号：
APTM50DHM75TG
仓库库存编号：
APTM50DHM75TG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA28N50_F109
仓库库存编号：
FQA28N50_F109-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 115A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 115A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N04-05L-E3
仓库库存编号：
SUD50N04-05L-E3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
型号：
NP60N055KUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP60N055KUG-E1-AY-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRF1407L
仓库库存编号：
IRF1407L-ND
别名：*IRF1407L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1407S
仓库库存编号：
IRF1407S-ND
别名：*IRF1407S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1407STRR
仓库库存编号：
IRF1407STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP1405
仓库库存编号：
IRFP1405-ND
别名：*IRFP1405
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5600pF @ 25V,
含铅
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