规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(7)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(4)
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）(1)
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STMicroelectronics(4)
Micro Commercial Co(2)
On Semiconductor(5)
Rohm Semiconductor(1)
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表面贴装(7)
通孔(5)
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-(3)
-55°C ~ 150°C（TJ）(7)
150°C（TJ）(2)
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-(8)
STripFET??(1)
STripFET? H6(1)
STripFET? H7(1)
STripFET?? V(1)
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剪切带（CT） (9)
散装 (1)
带卷（TR） (1)
带盒（TB） (1)
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过期(6)
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SOT-23-3(1)
SOT-23(5)
SST3(1)
TO-92-3(5)
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MOSFET（金属氧化物）(12)
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±20V(6)
±18V(1)
±8V(4)
±12V(1)
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-(7)
6nC @ 4.5V(1)
4.8nC @ 4.5V(1)
4.6nC @ 4.5V(1)
2nC @ 4.5V(1)
2nC @ 5V(1)
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5 欧姆 @ 500mA，10V(3)
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V(1)
10 欧姆 @ 500mA，10V(2)
24 毫欧 @ 6A，10V(1)
56 毫欧 @ 1A，10V(1)
100 毫欧 @ 700mA，4.5V(1)
1.2 欧姆 @ 1A，10V(1)
150 毫欧 @ 500mA，1.5V(1)
30 毫欧 @ 2A，4.5V(1)
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5V，10V(1)
4.5V，10V(4)
2.5V，10V(2)
1.8V，4.5V(1)
1.8V，10V(1)
2.5V，4.5V(1)
4.5V(2)
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N 沟道(9)
P 沟道(3)
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-(1)
200mA（Ta）(6)
200mA（Tc）(1)
2A（Ta）(1)
1.4A（Ta）(1)
6A（Tc）(2)
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26pF @ 10V(1)
60pF @ 25V(2)
630pF @ 10V(1)
639pF @ 25V(1)
510pF @ 10V(1)
125pF @ 25V(2)
43pF @ 25V(1)
100pF @ 15V(1)
1275pF @ 6V(1)
367pF @ 16V(1)
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-(12)
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2.5V @ 250μA(1)
1V @ 250μA(2)
2V @ 1mA(2)
800mV @ 1mA(1)
3V @ 1mA(2)
2.5V @ 1mA(1)
3V @ 250μA(2)
700mV @ 250μA（最小）(1)
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350mW（Tc）(12)
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12V(1)
50V(1)
20V(3)
240V(2)
30V(1)
60V(4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 350mW（Tc） SOT-23
型号：
STR2P3LLH6
仓库库存编号：
497-15520-1-ND
别名：497-15520-1
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 350mW（Tc） SOT-23
型号：
STR1P2UH7
仓库库存编号：
497-15519-1-ND
别名：497-15519-1
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Tc） SST3
型号：
RYC002N05T316
仓库库存编号：
RYC002N05T316CT-ND
别名：RYC002N05T316CT
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 350mW（Tc） SOT-23
型号：
SI2333-TP
仓库库存编号：
SI2333-TPMSCT-ND
别名：SI2333-TPMSCT
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mW（Tc） SOT-23
型号：
STR2N2VH5
仓库库存编号：
497-13883-1-ND
别名：497-13883-1
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 350mW（Tc） SOT-23
型号：
SI3420-TP
仓库库存编号：
SI3420-TP-ND
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Tc） 350mW（Tc） SOT-23-3
型号：
2N7002
仓库库存编号：
497-3111-1-ND
别名：497-3111-1
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
型号：
2N7000RLRA
仓库库存编号：
2N7000RLRAOSCT-ND
别名：2N7000RLRAOSCT
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
型号：
VN0300L
仓库库存编号：
VN0300LOS-ND
别名：VN0300LOS
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
型号：
2N7000RLRAG
仓库库存编号：
2N7000RLRAGOSCT-ND
别名：2N7000RLRAGOSCT
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 240V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
型号：
VN2410LG
仓库库存编号：
VN2410LGOS-ND
别名：VN2410LGOS
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 240V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
型号：
VN2410LZL1G
仓库库存编号：
VN2410LZL1GOSCT-ND
别名：VN2410LZL1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 350mW（Tc）,
无铅
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