规格：漏源电压（Vdss） 600V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2223)
分立半导体产品
(2223)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN1NK60Z
仓库库存编号：
497-3523-1-ND
别名：497-3523-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN1HNK60
仓库库存编号：
497-4668-1-ND
别名：497-4668-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD2HNK60Z
仓库库存编号：
497-6192-1-ND
别名：497-6192-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD10NM60N
仓库库存编号：
497-10021-1-ND
别名：497-10021-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
STB37N60DM2AG
仓库库存编号：
497-16105-1-ND
别名：497-16105-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP25NM60ND
仓库库存编号：
497-8446-5-ND
别名：497-8446-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15887-5-ND
别名：497-15887-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 50mA（Ta） 610mW（Ta） SOT-23
型号：
BSS127S-7
仓库库存编号：
BSS127S-7DICT-ND
别名：BSS127S-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Exar Corporation
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 20W（Tc） SOT-223
型号：
XR46000ESETR
仓库库存编号：
1016-2071-1-ND
别名：1016-2071-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3N60
仓库库存编号：
785-1181-1-ND
别名：785-1181-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
型号：
FQD1N60CTM
仓库库存编号：
FQD1N60CTMCT-ND
别名：FQD1N60CTMCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT1N60CTF_WS
仓库库存编号：
FQT1N60CTF_WSCT-ND
别名：FQT1N60CTF_WSCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
型号：
STD1NK60T4
仓库库存编号：
497-2483-1-ND
别名：497-2483-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
型号：
STD7ANM60N
仓库库存编号：
497-13940-1-ND
别名：497-13940-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD7S60
仓库库存编号：
785-1266-1-ND
别名：785-1266-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD11S60
仓库库存编号：
785-1264-1-ND
别名：785-1264-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK20V60W5,LVQ
仓库库存编号：
TK20V60W5LVQCT-ND
别名：TK20V60W5LVQCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
STB10NK60ZT4
仓库库存编号：
497-6544-1-ND
别名：497-6544-1
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK31V60X,LQ
仓库库存编号：
TK31V60XLQCT-ND
别名：TK31V60XLQCT
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP11N60F
仓库库存编号：
FCP11N60FFS-ND
别名：FCP11N60F-ND
FCP11N60FFS
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF13NM60N
仓库库存编号：
497-8892-5-ND
别名：497-8892-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NM60
仓库库存编号：
497-3263-5-ND
别名：497-3263-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP20N60
仓库库存编号：
FCP20N60-ND
别名：FCP20N60_NL
FCP20N60_NL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
型号：
FCH072N60F
仓库库存编号：
FCH072N60F-ND
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
型号：
STW26NM60N
仓库库存编号：
497-9066-5-ND
别名：497-9066-5
规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
