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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(2)
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On Semiconductor(1)
Vishay Siliconix(1)
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表面贴装(2)
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TO-236(1)
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0.7nC @ 4.5V(1)
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1.6 欧姆 @ 500mA，10V(1)
2 欧姆 @ 500mA，10V(1)
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4.5V，10V(2)
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N 沟道(2)
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300mA（Ta）(1)
320mA（Ta）(1)
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30pF @ 25V(1)
24.5pF @ 20V(1)
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2.5V @ 250μA(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
型号：
2N7002K-T1-GE3
仓库库存编号：
2N7002K-T1-GE3CT-ND
别名：2N7002K-T1-GE3CT
搜索词：2N7002KT1G,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
2N7002KT1G
仓库库存编号：
2N7002KT1GOSCT-ND
别名：2N7002KT1GOSCT
搜索词：2N7002KT1G,
无铅
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