搜索词：IPP100N08N3GXKSA1, | 创唯电子 (美国1号仓库)

产品分类 (1)

规格选型

封装/外壳

制造商

安装类型

工作温度

系列

包装

零件状态

供应商器件封装

技术

Vgs（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

FET 类型

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

FET 功能

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

功率耗散（最大值）

漏源电压（Vdss）

重新选择

在结果中搜索词：

以下搜索（IPP100N08N3GXKSA1）结果

没有搜索到IPP100N08N3GXKSA1相关的分类及品牌及规格。

www.szcwdz.com 查看更多相关产品

参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	IPP100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细

美国1号仓库 查看更多相关产品

参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3 型号：IPP100N08N3GXKSA1 仓库库存编号：IPP100N08N3GXKSA1-ND 别名：IPP100N08N3 G <br>IPP100N08N3 G-ND <br>IPP100N08N3G <br>SP000680856 <br>	无铅	搜索

新加坡2号仓库 查看更多相关产品

制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
IPP100N08N3GXKSA1	2480852	INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 80 V, 0.0084 ohm, 10 V, 2.8 V (EN)	搜索