搜索词:STW26NM60N,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2)
分立半导体产品
(2)
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-247-3(2)
重新选择
STMicroelectronics(2)
重新选择
通孔(2)
重新选择
150°C(TJ)(2)
重新选择
MDmesh? II(1)
FDmesh?? II(1)
重新选择
管件 (2)
重新选择
在售(1)
过期(1)
重新选择
TO-247-3(1)
TO-247(1)
重新选择
MOSFET(金属氧化物)(2)
重新选择
±30V(1)
±25V(1)
重新选择
60nC @ 10V(1)
54.6nC @ 10V(1)
重新选择
165 毫欧 @ 10A,10V(1)
175 毫欧 @ 10.5A,10V(1)
重新选择
10V(2)
重新选择
N 沟道(2)
重新选择
20A(Tc)(1)
21A(Tc)(1)
重新选择
1800pF @ 50V(1)
1817pF @ 100V(1)
重新选择
-(2)
重新选择
4V @ 250μA(1)
5V @ 250μA(1)
重新选择
190W(Tc)(1)
140W(Tc)(1)
重新选择
600V(2)
重新选择
在结果中搜索词:
以下搜索
(STW26NM60N)
结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW26NM60N
仓库库存编号:
497-9066-5-ND
别名:497-9066-5
搜索词:STW26NM60N,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW26NM60ND
仓库库存编号:
497-14225-5-ND
别名:497-14225-5
STW26NM60ND-ND
搜索词:STW26NM60N,
无铅
搜索
1
以下相关搜索
(STW26NM60N)
结果
没有搜索到
STW26NM60N
相关的分类及品牌及规格。
以下旗下站点
(STW26NM60N)
结果
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号